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ITO透明导 电膜玻璃直流磁控溅射法

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ITO透明导 电膜玻璃直流磁控溅射法的基本原理是在电场和交变磁场的作用下,被加速 的高能粒子轰击ITO靶材表面,能量交换后,靶材表 面的原子脱离原晶格而逸出,转移到 基体表面而成膜。
只留磁 控溅射是目前应用最广的镀膜方法之一,首先备 好规定厚度尺寸的(0.4~1.3mm)超薄玻璃片,经去离子水洗、超声波洁净,进入真空室后,先进行SiO2镀制,然后进入ITO镀膜室镀制ITO 膜,经加热 固化退火后获得成品。ITO导电膜 玻璃全工艺过程均在高真空状态下洁净无尘通过Ar(氩)和O2(氧)气体,经过磁控溅射作用,在玻璃 基片表面沉积氧化铟锡薄膜及加热退火后而制成。在镀膜工艺生产时,注意ITO膜主要 特性是透明和导电,影响这 两个指标的最主要因素有溅射电压、沉积速率、基片温度、溅射压力、氧分压及靶材的Sn/In组分比。因此,在镀制ITO透明导电膜时,应尽可 能采用低电压溅射,防止膜 层因受离子轰击而损伤,使膜层 电阻增大及形成低价黑色氧化物InO,降低了ITO玻璃的透光率。
用直流 磁控溅射进行连续镀ITO膜层,具有膜层厚度均匀、易控制、膜重复性好、稳定、适于连续生产、可镀大面积、基片和 靶相互位置可按理想设计任意放置、可在低 温下制取致密的薄膜层、可采用 合金靶反应溅射、也可采 用氧化靶直接溅射等诸多优点。该方法 适用于大规模工业化生产,ITO透明导 电膜玻璃质量好,规格品种多,耗能低。
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